特許

J-GLOBAL ID：200903007211032324

液晶用又は半導体用基板のアニール方法

発明者： 村山 隆彦 ,  川上 隆介 ,  山本 直矢 ,  渡辺 智之 ,  芳之内 淳
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-294544
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064334
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 液晶表示装置に使用するガラス等の透明板にポリシリコン又はアモルファスシリコンの薄膜を形成させた液晶基板、又は、半導体製造に使用するシリコン等のウェハ(以下、「基板」という)を密閉可能な容器内に収容し、高温アニール処理を行う際に、後のウェット処理による問題を回避しながら、アニール処理時に基板の表面に付着するパーティクル量を容易に減少させることにより、高性能の液晶・半導体素子を製造できるアニール方法を提供する。【解決手段】 液晶用又は半導体用基板を密閉可能な容器内に収容し、基板を、その表側面を上にして水平とした状態に対して特定の角度に傾けた状態で高温アニール処理をする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

液晶用又は半導体用基板を密閉可能な容器内に収容し、前記基板を、その表側面を上にして水平とした状態に対して特定の角度に傾けた状態で、高温ガスによるアニール処理を行うことを特徴とする液晶用又は半導体用基板のアニール方法。

IPC (3件)：

H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316

FI (4件)：

H01L21/324 X ,  H01L21/324 Q ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 P

Fターム (6件)：

5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052CA02 ,  5F058BA20 ,  5F058BH03 ,  5F058BH20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• レーザー装置及びレーザーアニール方法並びに半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-243525   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-307876   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所