特許
J-GLOBAL ID：200903096802446996

薄膜トランジスタ及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
大谷 久

大谷 久 について

, 
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について

, 
笠原 健司

笠原 健司 について

, 
河崎 律子

河崎 律子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307876
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198377
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 従来に比べて結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法を提供する。【解決手段】 絶縁表面上の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は、YVO4レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。これにより結晶粒径の大きい結晶質半導体膜を得る。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は、YVO4レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/786
FI (8件)：
G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 616 A
Fターム (139件)：
2H092JA24 ,  2H092KA05 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA29 ,  4M104AA09 ,  4M104BB00 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104EE20 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5C094AA21 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052BA00 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BA15 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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