半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306372
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162078
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】メサの高さと活性層の形成位置および埋め込み形状の最適化をはかる事により効果的に電流狭窄され得る半導体レーザを提供することである。【構成】半導体レ-ザは、n-InP基板11上のn-InPバッファ層12と、メサストライプ状に形成されたn-InPバッファ層12の一部とn-InGaAsP活性層13とp-InPクラッド層14とからなる電流注入部と、該電流注入部の両側に埋め込まれたp-InP層15及びn-InP層16とからなる電流ブロック層とを含み、n-InP層15がメサ状の上記電流注入部の斜面に沿ってせり上がっておりかつ凹部21を有する形状である。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、上記半導体基板上に順次設けられかつメサストライプ状に形成された一導電型の第1の半導体層と活性層と反対導電型の第2の半導体層とからなる電流注入部と、上記電流注入部の両側に形成された互いに逆方向接合を形成する反対導電型の第3の半導体層と一導電型の第4の半導体層とからなる電流ブロック層と、上記電流注入部及び上記電流ブロック層の全面に設けられた反対導電型の第5の半導体層とからなる半導体レ-ザにおいて、上記第4の半導体層は、上記電流注入部のメサ斜面に沿ってせり上がった形状をしており、凹部を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-102083 出願人：三菱電機株式会社
特開昭61-283190
特開平4-229682

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