半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-102083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291416
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】ダブルチャネル埋込型半導体レーザ装置の特性改善と高い歩留りで製造することのできる半導体レーザ装置の製造方法を得る。【構成】メサ溝内に埋込成長された第1導電型電流ブロック層表面側から導入された不純物により形成されたメサストライプの上部と第2導電型電流ブロック層とを電気的に分離する不純物導入領域を備えた構成とした。【効果】第2導電型電流ブロック層の先端とメサ部の接触によるリーク電流の発生を防止でき、優れた特性の半導体レーザを実現できる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板上に順次配置された第1導電型クラッド層,活性層,及び第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造と、該ダブルヘテロ構造をメサストライプ形状に成形する2条のメサ溝と、該メサ溝内に上記ダブルヘテロ構造を埋め込むように順次結晶成長された第1導電型埋込層,第2導電型電流ブロック層,及び第1導電型電流ブロック層と、前記第1導電型電流ブロック層表面側から導入された不純物により形成された上記メサストライプの上部と上記第2導電型電流ブロック層とを電気的に分離する不純物導入領域とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-206792
特開平2-271584
特開平4-105385

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