特許

J-GLOBAL ID：200903007246631336

3族窒化物半導体発光素子

発明者： 佐々 道成 ,  柴田 直樹 ,  浅見 慎也 ,  小池 正好 ,  梅崎 潤一 ,  小澤 隆弘
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252896
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097471
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】駆動電圧の低下【構成】サファイア基板1上に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のSiドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0μm、電子濃度 2×1018/cm3のSiドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N の高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、Mg、Zn及びSiドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1Nのp伝導型の発光層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N のp層61、膜厚約0.2 μm、ホール濃度 5×1017/cm3、Mg濃度1 ×1020/cm3のMgドープのGaN から成る第2コンタクト層62、膜厚約500 Å、ホール濃度 2×1017/cm3、Mg濃度 2×1020/cm3のMgドープのGaN から成る第1コンタクト層63が形成されている。p層61と高キャリア濃度n+ 層4とに、それぞれ、接続するニッケルで形成された電極7と電極8とが形成。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) で形成されたp伝導型を示すp層、n伝導型を示すn層を有する発光素子において、前記p層に対するコンタクト層であって金属電極に直接接合している層を前記p層よりも高濃度にアクセプタ不純物をドーピングしたことを特徴とする発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒素-3属元素化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-316597   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079046   出願人：日亜化学工業株式会社