特許

J-GLOBAL ID：200903007253916931

半導体材料の改質方法,薄膜および半導体素子

発明者： 徳弘 淳 ,  齊藤 公彦 ,  飯田 健二 ,  中山 健太郎
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-252839
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019673
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】 導電性を向上させたP型有機半導体材料の改質方法及びその薄膜を提供することを目的とする。【解決手段】 銅フタロシアニン(化式1)、もしくはポリチオフェン(化式3)とサリチル酸亜鉛を混合し溶解させた後、基板上にスピンコート法により薄膜をし、その後オーブンで加熱し溶媒を除去した。もしくはポリチオフェン薄膜を形成後、ポリチオフェンに溶解性のあるクロロホルムを適量含む混合溶媒で用いたサリチル酸亜鉛溶液を滴下して半導体薄膜を得た。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

P型有機半導体材料とサリチル酸金属錯体を混合または接触することにより、前記P型有機半導体材料の導電性を向上させることを特徴とするP型有機半導体材料の改質方法。

IPC (5件)：

H01L 51/05 ,  H01L 21/368 ,  H01L 51/50 ,  H01L 51/42 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L29/28 ,  H01L21/368 L ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 D ,  H01L31/04 D ,  H01L29/78 618B

Fターム (25件)：

3K007AB03 ,  3K007CB04 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5F051AA11 ,  5F051CB13 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F053AA06 ,  5F053BB08 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053JJ01 ,  5F053LL01 ,  5F053LL05 ,  5F053RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-402664   出願人：株式会社東芝
• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215748   出願人：旭化成工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 有機半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-029793   出願人：キヤノン株式会社
• 多色感熱記録材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-218471   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 感熱記録材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-053420   出願人：富士写真フイルム株式会社