SQUID磁気センサーおよびSQUID磁気センサーの作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085719
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296677
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】超高感度のSQUID磁気センサーとそのSQUID磁気センサーの作製方法を提供する。【解決手段】一対の高温超伝導体の単結晶(1)と(2)を基板上に熱処理により交差角度0°-90°の範囲で交差させて結合し形成した単一の高温超伝導ジョセフソントンネル接合(4)を用い、高温超伝導ジョセフソントンネル接合の側面より一対の単結晶をその結合界面を含めて貫通する貫通孔(5)を形成して高温超伝導ジョセフソントンネル接合を2つに分離し、一対の単結晶でループ状の結合構造を構成するSQUID磁気センサーとする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

一対の高温超伝導体の単結晶が基板上に交差角度0°-90°の範囲で交差されて結合されている単一の高温超伝導ジョセフソントンネル接合を用いたSQUID磁気センサーであって、高温超伝導ジョセフソントンネル接合の側面より一対の前記単結晶をその結合界面を含めて貫通させた貫通孔によって高温超伝導ジョセフソントンネル接合が2つに分離され、一対の単結晶でループ状の結合構造が構成されていることを特徴とするSQUID磁気センサー。

IPC (3件)：

H01L39/22 , G01R33/035 , H01L39/24

FI (3件)：

H01L39/22 D , G01R33/035 , H01L39/24 J

Fターム (9件)：

2G017AA13 , 2G017AD39 , 4M113AA06 , 4M113AA16 , 4M113AA23 , 4M113AC08 , 4M113BB01 , 4M113BB07 , 4M113CA35

引用特許：

出願人引用 (4件)

超電導量子干渉デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-176341 出願人：三洋電機株式会社
超電導量子干渉素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-224788 出願人：株式会社東芝
高温超伝導ジョセフソン接合形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-295078 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

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