特許

J-GLOBAL ID：200903007267316988

強誘電体集積回路の製造方法

発明者： 宮坂 洋一 ,  古谷 晃 ,  ジョセフ クチアロ ,  カルロス アロージョ
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  シンメトリクス コーポレーション
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301940
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307732
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 水素の有害な影響を低減すると共に、強誘電体の優れた電気的特性を保持する。【解決手段】 集積回路は、少なくとも二つの金属を含有する金属酸化材料を有する強誘電体元素を有するように形成される。酸素回復アニールが、周囲酸素で、300°Cから1000°Cの温度範囲内で、20分から2時間の時間で実施される。この酸素回復アニールは、水素により性能低下の影響を元に戻し、強誘電体特性を回復させる。酸素回復アニールは、アニール温度及びアニール時間が増加するに従いより効果的になる。好ましくは、金属酸化材料は、層状超格子化合物を有する。層状超格子化合物は、ストロンチウム・ビスマス・タンタル・ニオブ酸塩を有し、かつ前駆体中のニオブ酸塩とタンタルのモル比が約0.4であるとき、強誘電体特性の水素による性能低下は最小限になる。超格子化合物の超格子生成元素とBーサイト元素の少なくとも一つが、化合物の平衡的な化学量論的式の組成に対して過剰量存在するとき、水素による性能低下はさらに最小限になる。

請求項（抜粋）：

強誘電体集積回路を製造する方法において、金属酸化物材料から成る薄膜を含む集積回路部分を形成し、300°Cから1000°Cの温度範囲内で、20分から2時間、酸素回復アニールを実行することを特徴とする強誘電体集積回路の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-348806   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-048081   出願人：富士通株式会社