特許

J-GLOBAL ID：200903007273243976

半導体素子の銅配線形成方法

発明者： 朴 祥 均
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (2件)： 中川 周吉 ,  中川 裕幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-389232
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033160
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】銅拡散防止絶縁膜とその下部層との界面接合性を増大させて銅配線の銅原子移動を防止して素子の電気的特性及び信頼性を向上させることが可能な半導体素子の銅配線形成方法を提供する。【解決手段】基板上に第1層間絶縁膜及び研磨停止層を形成する段階と、前記研磨停止層及び第1層間絶縁膜をエッチングしてダマシンパターンを形成する段階と、前記ダマシンパターンを含んだ前記研磨停止層上に銅拡散防止導電膜及び銅層を形成する段階と、前記ダマシンパターン内に銅配線を形成する段階と、前記銅配線を含んだ全体構造の表面に金属元素ドーピング層を形成する段階と、前記金属元素ドーピング層が形成された全体構造上に銅拡散防止絶縁膜及び第2層間絶縁膜を形成し、これらの絶縁膜蒸着時の熱によって前記銅配線と前記銅拡散防止絶縁膜との界面には銅合金層及び酸化金属層が形成され、前記銅配線の周辺層と前記銅拡散防止絶縁膜との界面には酸化金属層が形成される段階とを含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に第1層間絶縁膜及び研磨停止層を形成する段階と、 前記研磨停止層及び第1層間絶縁膜をエッチングしてダマシンパターンを形成する段階と、 前記ダマシンパターンを含んだ前記研磨停止層上に銅拡散防止導電膜及び銅層を形成する段階と、 前記ダマシンパターン内に銅配線を形成する段階と、 前記銅配線を含んだ全体構造の表面に金属元素ドーピング層を形成する段階と、 前記金属元素ドーピング層が形成された全体構造上に銅拡散防止絶縁膜及び第2層間絶縁膜を形成し、これらの絶縁膜蒸着時の熱によって前記銅配線と前記銅拡散防止絶縁膜との界面には銅合金層及び酸化金属層が形成され、前記銅配線の周辺層と前記銅拡散防止絶縁膜との界面には酸化金属層が形成される段階とを含む半導体素子の銅配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065

FI (5件)：

H01L21/88 B ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M ,  H01L21/302 106

Fターム (83件)：

4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD55 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  5F004AA14 ,  5F004BD06 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB13 ,  5F004EB02 ,  5F004FA02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033LL02 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP14 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR24 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033TT01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電子構造内に銅の導電体を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-343165   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 導電性拡散バリアを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-064054   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-058837