導電性拡散バリアを形成する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-064054
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308183
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】良好なステップカバレッジおよび所望の特性を備えた導電性拡散バリアを形成する方法を提供すること。【解決手段】集積回路のための導電性バリアを形成する方法は、a)半導体基板を提供する工程と、b)初期材料の層を堆積する工程と、c)イオンを該初期材料の層に注入し、所望の材料を形成する工程とを包含する。

請求項（抜粋）：

集積回路のための導電性バリアを形成する方法であって、a)半導体基板を提供する工程と、b)初期材料の層を堆積する工程と、c)イオンを該初期材料に注入し、所望の材料を形成する工程と、を包含する、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , C23C 16/34 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301

FI (4件)：

C23C 16/34 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 C , H01L 21/265 W

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-049635 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の銅金属配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-008037 出願人：三星電子株式会社
特開平2-210833

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