特許

J-GLOBAL ID：200903044800090230

電子構造内に銅の導電体を形成する方法

発明者： パナイオティス・コンスタンチノ・アンドリカコス ,  シリル・カブラル、ジュニア ,  クリストファ・カール・パークス ,  ケネス・パーカー・ロッドベル ,  ロジャー・エン-ルエン・ツァイ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343165
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174027
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 銅の導電体の耐エレクトロマイグレーション特性を改善する。【解決手段】 収容箇所内に銅組成を付着してから銅の導電体内に耐エレクトロマイグレーション特性を改善する不純物を添加する。不純物は、C,O,Cl,S及びNであり、濃度レベルは、約0.01重量ppm乃至約1000重量ppmである。不純物は、銅シード層を収容箇所内に付着してイオン注入してから銅を電気メッキすること、銅シード層の付着後に、不純物を含む銅組成を電着し不純物を銅シード層内に拡散すること、又はバリア層の付着後にドーパント・イオンを注入し、次いで銅シード層を付着することにより行われる。拡散のためにアニールする。銅導電体の平坦化後に、これの表面層に少なくとも1つの元素がイオン注入される。

請求項（抜粋）：

電子構造を準備するステップと、上記電子構造内に導電体のための収容箇所を形成するステップと、上記収容箇所内に銅の組成を付着するステップと、銅の組成の耐エレクトロマイグレーション特性を改善するように、上記銅の組成内に少なくとも1つの不純物を添加するステップとを含む電子構造内に銅の導電体を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/265 Z

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開平3-211734
  
• 特開平3-120722
  
• 金属膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314996   出願人：川崎製鉄株式会社
• プレート配線装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-370081   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体集積回路の配線構造体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107139   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平2-113552
  
• 半導体装置の配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-231356   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 特開平1-102940
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097948   出願人：富士通株式会社