特許
J-GLOBAL ID：200903007281778242
超臨界溶媒を用いた結晶製造方法および結晶製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-059770
公開番号（公開出願番号）：特開2007-238348
出願日： 2006年03月06日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。【解決手段】反応容器中で、(1)超臨界状態および/または亜臨界状態の溶媒、並びに、(2)原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がh≧D/2(hはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Dはるつぼの内直径)を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応容器中で、(1)超臨界状態および/または亜臨界状態の溶媒、並びに、(2)原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、
前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量が下記式(1)を満たすことを特徴とする結晶製造方法。
h≧D/2 式(1)
(式(1)中、hは、るつぼの上端から充填した原料上面までの距離を示し、Dは、るつぼの内直径を示す。)
IPC (5件)：
C30B 29/40
, C30B 7/10
, C30B 11/00
, C30B 29/38
, B01J 3/00
C30B29/40 B
, C30B7/10
, C30B11/00 C
, C30B29/38 D
, C30B29/40 501C
, B01J3/00 A
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CB03
, 4G077CB04
, 4G077CC01
, 4G077CD02
, 4G077CD04
, 4G077CD08
, 4G077EA01
, 4G077EA03
, 4G077EC02
, 4G077KA01
, 4G077KA03
, 4G077KA05
, 4G077KA09
, 4G077MA01
, 4G077MA02
, 4G077MA04
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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