特許

J-GLOBAL ID：200903007283067009

埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置

発明者： 北田 秀樹 ,  清水 紀嘉 ,  大塚 信幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176546
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358142
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】 埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置に関し、チップ収率を低下させることなく、基板周辺でのメッキ層の膜剥がれを防止する。【解決手段】 絶縁層2に配線層用溝3及びビアホール4の少なくとも一方を形成したのちシード層6を形成し、次いで、シード層6上にメッキ層7を形成したのちメッキ層7の一部を化学的エッチングにより除去する。

請求項（抜粋）：

絶縁層に配線層用溝及びビアホールの少なくとも一方を形成する工程、シード層を形成する工程、前記シード層上にメッキ層を形成する工程、及び、前記メッキ層の一部を化学的エッチングにより除去する工程を有することを特徴とする埋込配線層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  C23F 1/08 103 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

C23F 1/08 103 ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

Fターム (33件)：

4K057WA07 ,  4K057WA11 ,  4K057WB04 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WM03 ,  4K057WN01 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 低温銅除去方法および銅除去システム、ならびに半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-260535   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279393   出願人：日本電気株式会社
• 噴流式ウェットエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175735   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-163046   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 低温銅除去方法および銅除去システム、ならびに半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-260535   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279393   出願人：日本電気株式会社
• 噴流式ウェットエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175735   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-163046   出願人：株式会社東芝