低温銅除去方法および銅除去システム、ならびに半導体ウエハ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260535
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186218
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ製造プロセスにおいて、低温での銅除去方法および銅除去システム、ならびに半導体ウエハを提供し、銅を確実に除去すると共に、酸化銅の形成を防ぐ。【解決手段】希釈された硝酸およびエッジビード除去具を用いて、半導体ウエハの周囲から銅を除去する方法が提供される。第1の方法では、ウエハの敏感な領域をフォトレジストで被覆し、ウエハ周囲からフォトレジストを取り除いてから、硝酸を付与する。第2の方法では、銅エッチング液付与時に、ウエハの敏感な領域を水の噴霧で保護する。第3の方法では、硝酸を付与して、ウエハ周囲から銅を取り除いてから、銅堆積層に化学的機械研磨(CMP)を行う。銅の余分な厚さにより、銅インタコネクト構造が、銅エッチング液と反応することが防止される。これらの方法はすべて、酸化銅が形成されない十分に低い温度で銅を除去することを可能にする。上述の方法に従って銅が取り除かれる半導体ウエハ、および、低温で銅を除去するためのシステムも提供される。

請求項（抜粋）：

上面および下面を有するとともに、上面エッジと、該上面および該下面の周囲であって該上面エッジに沿った側面とを有する半導体ウエハの製造において、該ウエハから低温で銅を除去する方法であって、(a)該ウエハの該上面の選択領域に保護コーティング層を形成する工程と、(b)銅エッチング液を付与し、該ウエハのうち、該保護コーティング層で被覆されていない部分から銅を除去する工程とを包含し、これにより、銅を酸化させずにウエハから銅が除去される、低温銅除去方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , H01L 21/304 622 , H01L 21/3205 , C23F 1/02

FI (4件)：

H01L 21/306 R , H01L 21/304 622 X , C23F 1/02 , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (34件)

特開平3-151668
特開平3-151668
特開平2-142115

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