特許

J-GLOBAL ID：200903007283107884

シリコン導波層を有する磁気光学導波路及びそれを用いた光非相反素子

発明者： 横井 秀樹
出願人/特許権者： 財団法人理工学振興会
代理人 (3件)： 安形 雄三 ,  五十嵐 貞喜 ,  北野 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-026730
公開番号（公開出願番号）：特開2004-240003
出願日： 2003年02月04日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】磁気光学効果が高く、かつ他の半導体光素子との一体集積化が容易な磁気光学導波路及びそれを用いた光非相反素子、並びにそれらと他の半導体光素子との集積化により得られる光集積回路を提供する。【解決手段】シリコン結晶からなるコア層と、絶縁体である二酸化珪素からなる第一のクラッド層と、それらを保持する保持材とが、前記二酸化珪素からなる第一のクラッド層を中間層として三層に積層されたSOI基板と、磁性ガーネットからなる第二のクラッド層とが、前記コア層表面においてウェハボンディングによって貼り合わされることにより得られる磁性ガーネット/シリコン/二酸化珪素構造の磁気光学導波路を用いて構成することにより達成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン結晶からなるコア層と、絶縁体である二酸化珪素からなる第一のクラッド層と、それらを保持する保持材とが、前記二酸化珪素からなる第一のクラッド層を中間層として三層に積層されたSOI基板と、磁性ガーネットからなる第二のクラッド層とが、前記コア層表面においてウェハボンディングによって貼り合わされることにより得られる磁性ガーネット/シリコン/二酸化珪素構造の磁気光学導波路。

IPC (4件)：

G02F1/095 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B27/28

FI (4件)：

G02F1/095 ,  G02B27/28 A ,  G02B6/12 L ,  G02B6/12 B

Fターム (22件)：

2H047KA06 ,  2H047KB04 ,  2H047LA23 ,  2H047LA26 ,  2H047MA07 ,  2H047NA06 ,  2H047PA21 ,  2H047QA01 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047TA22 ,  2H079AA03 ,  2H079BA02 ,  2H079CA06 ,  2H079DA13 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA13 ,  2H079EB18 ,  2H099AA01 ,  2H099BA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光アイソレータ及び光エレクトロニクス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-168945   出願人：東京工業大学長
• 半導体導波路の位相変調器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-608217   出願人：ブックハムテクノロジーピーエルシー