特許

J-GLOBAL ID：200903040876517075

光アイソレータ及び光エレクトロニクス装置

発明者： 水本 哲弥 ,  横井 秀樹
出願人/特許権者： 東京工業大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168945
公開番号（公開出願番号）：特開2001-350039
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 素子寸法を短縮化することが可能な光アイソレータを提供する。【解決手段】 基板1上に形成され、屈折率が基板1よりも小さい下クラッド層2と、下クラッド層2が形成された基板上に半導体材料を用いて形成され、第1の導波路及び第2の導波路を有する導波層3と、導波層3上に磁気光学材料を用いて形成され、第1及び第2の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第1及び第2の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせる上クラッド層4とを備える。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、屈折率が該基板よりも小さい下クラッド層と、前記下クラッド層が形成された基板上に半導体材料を用いて形成され、第1の導波路及び第2の導波路を有する導波層と、前記導波層上に磁気光学材料を用いて形成され、前記第1及び第2の導波路を伝搬する光波の少なくとも一方に対して非相反な位相変化を生じさせることにより、第1及び第2の導波路を伝搬する光波どうしに位相差を生じさせる上クラッド層と、を備えたことを特徴とする光アイソレータ。

IPC (3件)：

G02B 6/12 ,  G02B 6/122 ,  H01S 5/026

FI (3件)：

H01S 5/026 ,  G02B 6/12 L ,  G02B 6/12 D

Fターム (14件)：

2H047KA03 ,  2H047KA12 ,  2H047KB04 ,  2H047LA26 ,  2H047MA07 ,  2H047NA06 ,  2H047QA02 ,  2H047TA02 ,  2H047TA05 ,  5F073AB11 ,  5F073AB30 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073FA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• V溝付光導波路基板の製造方法及びその製法により製造されたV溝付光導波路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-096035   出願人：日本航空電子工業株式会社
• 光導波路の形成方法および光導波路素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-001352   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-093815