特許
J-GLOBAL ID:200903007290495652

高密度触媒核分散層を有する基体並びに改質酸化亜鉛皮膜を有する導電性物品及びその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-362895
公開番号(公開出願番号):特開2002-170429
出願日: 2000年11月29日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】【解決手段】 非導電性基材表面上に、Sn,Ag,PdをSn:Ag:Pd=(1〜10):(1〜10):(1〜10)の重量割合で有する触媒層が形成されてなることを特徴とする高密度Pd核分散層を有する基体。【効果】 本発明によれば、非導電性基体表面上に微細なSn,Ag,Pdからなる触媒核粒子を高密度に付与することができる。また、本触媒上に形成する改質酸化亜鉛皮膜は、生産性が高く、複雑なパターニングが容易にでき、大気中に放置しても比抵抗率の変動が小さいため安定に作動し、作製に大規模な設備を必要とせず、生産コストの低い、大面積や複雑な形状の導電性物品を容易に作製することができる。
請求項(抜粋):
非導電性基材表面上に、Sn,Ag,PdをSn:Ag:Pd=(1〜10):(1〜10):(1〜10)の重量割合で有する触媒層が形成されてなることを特徴とする高密度Pd核分散層を有する基体。
IPC (7件):
H01B 5/14 ,  B01J 23/66 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/18 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02
FI (7件):
H01B 5/14 A ,  B01J 23/66 M ,  C23C 18/16 Z ,  C23C 18/18 ,  H01B 13/00 503 B ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B
Fターム (56件):
4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069AA12 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC22A ,  4G069BC22B ,  4G069BC32A ,  4G069BC32B ,  4G069BC72A ,  4G069BC72B ,  4G069CD10 ,  4G069DA06 ,  4G069EA07 ,  4G069EA11 ,  4G069EB15X ,  4G069EB18X ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA13 ,  4K022AA18 ,  4K022AA43 ,  4K022BA25 ,  4K022BA33 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022DA01 ,  4K022DB03 ,  4K022DB28 ,  4K022EA04 ,  5C027AA01 ,  5C027AA02 ,  5C040GC06 ,  5C040GC18 ,  5C040GC19 ,  5C040JA02 ,  5C040JA04 ,  5C040JA08 ,  5C040JA15 ,  5C040JA22 ,  5C040JA28 ,  5C040KA01 ,  5C040KB02 ,  5C040KB09 ,  5C040KB17 ,  5C040KB28 ,  5C040MA23 ,  5C040MA25 ,  5C040MA26 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC02 ,  5G307FC03 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB01
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る