特許
J-GLOBAL ID：200903007355689760

寄生容量が減らされた半導体デバイス

発明者：
アナンド,ヨージンダー

アナンド,ヨージンダー について

, 
チノイ,パーシー ボーミ

チノイ,パーシー ボーミ について


出願人/特許権者：
ザ ウィタカー コーポレーション

ザ ウィタカー コーポレーション について


代理人 (1件)： タイコエレクトロニクスアンプ株式会社
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-504273
公開番号（公開出願番号）：特表2000-515317
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】本発明は高速ショットキーデバイス及びpn接合デバイスにおける寄生容量を減らす技術に関する。半導体デバイスの構造は、基板、基板上に配置される半導体デバイス、及びデバイスとの電気的接触を行うボンディング用パッド(405)を有する。ベンゾシクロブテンの層がデバイスの周辺に設けられ、ボンディング用パッド(405)はベンゾシクロブテンの層の頂面に設けられる、
請求項（抜粋）：
基板、該基板上に配置される半導体デバイス、該デバイスに電気的に接触するボンディング用パッドを有する半導体デバイスの構造において、 ベンゾシクロブテンの層が前記デバイスの周囲に置かれ、前記ボンディング用パッドが前記ベンゾシクブテンの層の頂面に配置されるよう構成される構造。
IPC (5件)：
H01L 29/872 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件)：
H01L 29/48 F ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 23/30 D ,  H01L 21/90 S
引用特許：
審査官引用 (22件)
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