特許
J-GLOBAL ID：200903007388646438
光学素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217807
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042114
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 アライメントエラーによる微細構造の形成を防止し、正確なエッジ形状を形成できる光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】 (a)目的とする8段の断面形状を示し、(b)基板41上にマスクの境界が重複する位置にパターンの非加工領域にCr膜42をパターニングする。(c)最も微細なパターンを有するマスクを用いてレジストパターン43aのパターニングを行い、(d)レジストパターン43aとCr膜42をマスクとしてエッチングする。このとき、マスクエッジが重複する部分の基板41の段差エッジはCr膜42のエッジに一致する。(e)同様に、レジストパターン43bのパターニングを行い、(f)エッチングすると、エッチング後の基板41の段差エッジはCr膜42のエッジに一致する。(g)パターニングし、エッチングすることにより突起44を有する形状を得る。(h)レジストパターン43cとCr膜42をそれぞれ除去し、最後に突起44を除去する。
請求項（抜粋）：
量子化した高さ分布をリソグラフィ技術を用いて基板上に形成する工程を含む光学素子の製造方法において、前記基板における前記高さ分布の最小単位を構成するべき単位領域同士の境界付近に、該境界を含みかつ前記単位領域の幅よりも狭い幅のマスクを形成することにより、前記境界付近を非加工領域とした状態で前記基板の他の領域を加工することにより前記基板に前記量子化した高さ分布を与えることを特徴とする光学素子の製造方法。
IPC (5件)：
G02B 5/18
, G02B 5/32
, G03F 7/20 504
, G03H 1/08
, H01L 21/027
G02B 5/18
, G02B 5/32
, G03F 7/20 504
, G03H 1/08
, H01L 21/30 515 D
2H049AA03
, 2H049AA04
, 2H049AA33
, 2H049AA37
, 2H049AA44
, 2H049AA48
, 2H049AA63
, 2H049CA28
, 2H097CA16
, 2H097GB01
, 2H097KA03
, 2H097LA17
, 2K008AA08
, 2K008DD22
, 2K008FF27
, 2K008HH01
, 5F046CB12
, 5F046FB12
, 5F046FB15
