特許
J-GLOBAL ID：200903005364590234

多段階段状素子の作製方法又は該素子作製用モールド型の作製方法

発明者：
田中 一郎

田中 一郎 について

, 
岩崎 裕一

岩崎 裕一 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276481
公開番号（公開出願番号）：特開平11-160510
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 アライメントエラーやパターン寸法エラーによる溝や突起のない高精度な階段状構造を形成する。【解決手段】 工程(1) において、石英基板21上に第1のマスクとしてクロム膜22をスパッタリング法により100nmの厚さに形成し、基準となる周期の回折パターンを有するレジストパターン23を形成した後に、硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸と水の混合液から成るエッチング液を用いてクロム膜22を除去する。工程(2) において、CF4 と水素の混合ガスを用いて反応性イオンエッチング(RIE)法により、石英基板21を所定の深さエッチングして凹部24を形成する。の工程(3) において、電子ビーム蒸着法を用いて、残存するクロム膜22の表面に揃う程度の厚さに、第2のマスクとしてアルミニウム膜25を形成し、凹部24を埋める。次に、工程(4) において、リフトオフ法によりレジストパターン23とその上のアルミニウム膜25を同時に除去する。ここまでの工程の周期の回折パターンを基準として全ての段のパターン位置及び寸法が規定される。
請求項（抜粋）：
複数回のリソグラフィ工程により、基板上に多段階段状素子又は該素子作製用モールド型を作製する場合において、最初のリソグラフィ工程によって形成する第1のマスクによるパターンにより、全ての段の位置を規定することを特徴とする多段階段状素子の作製方法又は該素子作製用モールド型の作製方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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