特許

J-GLOBAL ID：200903007422863273

半導体装置の製造方法

発明者： 羽田 真由美 ,  長谷見 隆司 ,  池田 英俊 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018965
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213704
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング後に形成される保護堆積膜を容易に除去でき、金属配線材料の導電膜を全く腐食せず、安全で且つ簡便に剥離、洗浄することにより、高精度の回路配線を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハー上に、形成した金属導電膜上のフォトレジストを塗布し、フォトリソプロセスによるマスク形成後、非マスク領域をドライエッチングし、配線構造を形成する際、導電膜およびフォトレジストの側壁部に発生する保護堆積膜を、フッ系素化合物を含有する剥離液で剥離後、過酸化物を含有する水で洗浄する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハー上に、形成した金属導電膜上のフォトレジストを塗布し、フォトリソプロセスによるマスク形成後、非マスク領域をドライエッチングし、配線構造を形成する際、導電膜およびフォトレジストの側壁部に発生する保護堆積膜を、フッ系素化合物を含有する剥離液で剥離後、過酸化物を含有する水で洗浄することを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-000520   出願人：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 埋込プラグの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-113423   出願人：川崎製鉄株式会社