半導体集積回路の配線構造およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106993
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321197
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】極微細の半導体素子を接続する金属配線の幅あるいはピッチの減少に伴って顕在化してくる金属配線の信頼性低下や配線間容量の増大あるいは多層配線間のスルーホール抵抗の増大を解決する配線構造とその製造方法を提供する。【構成】薄い導電性硬質膜5で全表面が覆われた金属配線15を、側壁膜のある溝に埋め込んで配線間の距離を増大させて配線間容量を低減させ、さらに下層配線15の幅よりも大きなスルーホール16を形成することで、下層配線15の上面と側面とで上層配線19と接続することで多層配線間の縦接続抵抗を低減させている多層配線構造である。

請求項（抜粋）：

絶縁膜の溝に埋め込まれた金属配線において、金属配線の表面のすべてが薄い導電性硬質層で覆われていることを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/30 576 , H01L 21/306 F , H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-183880 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-265695 出願人：日本電気株式会社
特開平3-088334

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