特許
J-GLOBAL ID：200903007495890651

半導体装置の製造方法

発明者：
則武 千景

則武 千景 について

, 
三浦 昭二

三浦 昭二 について

, 
新美 彰浩

新美 彰浩 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-184757
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019830
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】半導体ウェハの一面側にメッキにより形成されたメッキ膜を形成するとともに、半導体ウェハをその他面側から薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、半導体ウェハの反りを極力抑制する。【解決手段】半導体ウェハ100の一面100a側に無電解メッキにより形成されたNiメッキ膜13aを形成するとともに、半導体ウェハ100の他面100b側から半導体ウェハ100を研削して薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ100を薄肉化する工程を、Niメッキ膜13aを形成する工程の前に行う。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ(100)の一面(100a)側にメッキにより形成されたメッキ膜(13a)を形成するとともに、前記半導体ウェハ(100)を前記一面(100a)とは反対側の他面(100b)側から薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、 前記半導体ウェハ(100)を薄肉化する工程を、前記メッキ膜(13a)を形成する工程の前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L21/304 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78
FI (9件)：
H01L21/304 631 ,  H01L21/288 E ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 655C ,  H01L21/88 T ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658Z
Fターム (20件)：
4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR22 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033XX19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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