半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002551
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196404
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】基板の薄型化が要求される半導体装置に関し、半導体基板の研削・研磨とバンプ電極形成の一連の工程におけるスループットを向上すること。【解決手段】半導体基板1上の絶縁膜2の上に形成された電極パッド3と、絶縁膜2の上に形成されて電極パッド3を露出させる開口4aを有する絶縁性カバー膜4と、基材層7bとその上に塗布されたレジスト層7aとを有し、レジスト層7aを半導体基板1側に向けた状態で、カバー膜4の上とその開口4a内を覆う保護テープ7とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜の上に形成された電極パッドと、前記絶縁膜の上に形成されて前記電極パッドを露出させる開口を有する絶縁性カバー膜と、基材層とその上に塗布されたレジスト層とを有し、該レジスト層を前記半導体基板側に向けた状態で、前記カバー膜の上と前記開口内を覆う保護テープとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 , H01L 21/304 631 , H01L 21/3205 , H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/304 631 , H01L 21/92 604 S , H01L 21/88 T , H01L 23/12 L

Fターム (28件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ27 , 5F033QQ30 , 5F033QQ37 , 5F033QQ47 , 5F033QQ54 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (5件)

ウエハの裏面研削方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-117817 出願人：ソニー株式会社
半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-168621 出願人：三井化学株式会社
コレットおよび半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-085793 出願人：株式会社東芝

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