特許

J-GLOBAL ID：200903007510636040

結晶薄膜製造装置、結晶薄膜製造方法および結晶薄膜素子

発明者： 竹内 博明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-368622
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170772
出願日： 2000年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 μmオーダーの厚膜の高品質結晶薄膜を、低温プロセスにて高スループットで形成する結晶薄膜製造装置を提供する。【解決手段】 結晶薄膜製造装置100は、成膜チャンバ1〜レーザアニールチャンバ2の間で、基板4を連続的に往復移動させる移動機構6を備え、成膜チャンバ1における非結晶薄膜の成膜と、レーザアニールチャンバ2における、前記非結晶薄膜に対するレーザアニールとを交互に繰り返す事により、厚膜の高品質結晶薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板に非結晶薄膜を成膜する成膜チャンバと、成膜された非結晶薄膜を、それにレーザによるアニール処理を施し結晶化させるレーザアニールチャンバと、前記基板を保持する基板ホルダと、この基板ホルダを前記成膜チャンバからレーザアニールチャンバへ連続的に移動させる移動機構とを備えてなることを特徴とする結晶薄膜製造装置。

IPC (9件)：

H01L 21/20 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (8件)：

H01L 21/20 ,  C23C 14/58 C ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 G ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 31/04 X

Fターム (55件)：

4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029GA01 ,  4K029KA01 ,  4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030DA09 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030GA12 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DP27 ,  5F045EF01 ,  5F045EF20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EK09 ,  5F045EN04 ,  5F045HA18 ,  5F045HA25 ,  5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB25 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-017076   出願人：日新電機株式会社
• 半導体製造方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303426   出願人：株式会社金星社
• 特開平3-219082
  
• 特開平3-219082