成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷川昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017076
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214307
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 TFT用等の半導体膜としての良質な結晶性シリコン膜を生産性良く形成できる成膜装置を提供する。【解決手段】被成膜物品10に結晶性シリコン膜を形成するためのシリコン膜形成用真空槽Cを有し、真空槽Cに被成膜物品10の被成膜面に結晶性シリコン膜の前段膜を形成できる成膜部と、この前段膜の結晶化処理のためのエネルギビームの照射を行えるエネルギビーム照射部とを設けてある成膜装置。

請求項（抜粋）：

被成膜物品に結晶性シリコン膜を形成するためのシリコン膜形成用真空槽を有し、該真空槽に該被成膜物品の被成膜面に結晶性シリコン膜の前段膜を形成できる成膜部と、該前段膜の結晶化処理のためのエネルギビームの照射を行えるエネルギビーム照射部とを設けてあることを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , C23C 16/24 , C23C 16/56 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/20 , C23C 16/24 , C23C 16/56 , H01L 21/203 Z , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-231315
特開平4-206532
特開平2-260627

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