特許
J-GLOBAL ID:200903007514248699

位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高梨 幸雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-063247
公開番号(公開出願番号):特開平6-252030
出願日: 1993年02月26日
公開日(公表日): 1994年09月09日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子製造用の投影露光装置においてレチクルとウエハとの相対的な位置合わせを高精度に行なうことができる位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 第1物体面上のパターンを第2物体面上に投影する投影光学系を介して該第2物体面上に設けた位置合わせマークを検出系により撮像手段面上に形成し、該撮像手段からの出力信号を利用して該位置合わせマークの位置を検出する際、該検出系は異なる倍率の複数の光学系を有し、該複数の光学系により該撮像手段面上に異なった倍率の位置合わせマークを形成していること。
請求項(抜粋):
第1物体面上のパターンを第2物体面上に投影する投影光学系を介して該第2物体面上に設けた位置合わせマークを検出系により撮像手段面上に形成し、該撮像手段からの出力信号を利用して該位置合わせマークの位置を検出する際、該検出系は異なる倍率の複数の光学系を有し、該複数の光学系により該撮像手段面上に異なった倍率の位置合わせマークを形成していることを特徴とする位置検出装置。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 9/00
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-165419
  • 特開平3-009204

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