薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長南満輝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-170348
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344849
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：

【課題】真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有するトップゲート構造の薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。【解決手段】窒化シリコンからなる保護膜16をマスクとして、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用膜およびn型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層を連続してエッチングすることにより、保護膜16下に半導体薄膜15を形成し、半導体薄膜15下の両側にオーミックコンタクト層13、14を形成し、そして半導体薄膜15の上面全体に保護膜16をそのまま残すことにより、加工精度を良くすることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上面全体に設けられた保護膜と、前記保護膜上に設けられた絶縁膜と、前記半導体薄膜上における前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記半導体薄膜下に該半導体薄膜に電気的に接続されて設けられたソース電極およびドレイン電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/417 , H01L 21/28 , G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627C , H01L29/78 617U , H01L29/50 M , H01L21/28 301B , G02F1/1368

Fターム (56件)：

2H092JA25 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KA24 , 2H092KB04 , 2H092KB13 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN54 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-252845 出願人：カシオ計算機株式会社

審査官引用 (6件)

特開平4-051529
特開昭62-252973
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司

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