特許
J-GLOBAL ID:200903062947697332
液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡邉 勇 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-091520
公開番号(公開出願番号):特開平10-041519
出願日: 1997年03月26日
公開日(公表日): 1998年02月13日
要約:
【要約】【課題】 多層構造の薄膜トランジスタを有する基板の表面が平坦であり、寄生容量が少なく、密着性不良の問題を解決し、又、開口率が向上した液晶表示装置を提供する。【解決手段】 液晶表示装置において、基板111と、基板上のゲート113、ソース123、ドレイン127、半導体層119及びゲート絶縁層157を有するトランジスタと、トランジスタ上に形成される保護膜159とを備え、保護膜159及び/又はゲート絶縁層157は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン(登録商標)、Cytop、フルオロポリアリールエーテル, フッ素が添加されたp-キシレン, PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含む。
請求項(抜粋):
液晶表示装置において、基板と、前記基板上のゲート、ソース、ドレイン、半導体層及びゲート絶縁層を有するトランジスタと、前記トランジスタ上に形成される保護膜と、該保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル, フッ素が添加されたp-キシレン, PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含むことを特徴とする、液晶表示装置用のトランジスタ基板。
IPC (3件):
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
FI (7件):
H01L 29/78 619 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 619 B
引用特許:
審査官引用 (16件)
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特開平4-163528
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-204085
出願人:日本電気株式会社
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有機硅素重合体と半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-327213
出願人:富士通株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-349131
出願人:キヤノン株式会社
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特表平5-503112
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-258744
出願人:富士通株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-156981
出願人:ソニー株式会社
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特開平4-206638
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電気回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-334930
出願人:キヤノン株式会社
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薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-204896
出願人:株式会社東芝
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特開平2-263474
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特開昭63-012172
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特開平4-357877
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薄膜トランジスタ用シングルチャンバCVDプロセス
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-327116
出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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特開昭62-140466
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液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-045072
出願人:株式会社東芝
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