反射防止膜材料およびパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本亮一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-107938
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】レジストに対してエッチング選択比が高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜材料及び、この反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法。【解決手段】下記一般式(1)または(2)で表される置換基を有する化合物を含有することを特徴とする反射防止膜材料。【化1】【化2】[ここで、R1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、R2〜R10は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数6〜20のアリール基または炭素数1〜6のトリアルキルシリル基である。mは0≦m≦10、nは0≦n≦10、oは0≦o≦10、1≦(m+n+o)≦10である]

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)または(2)で表される置換基を有する化合物を含有することを特徴とする反射防止膜材料。【化1】【化2】[ここで、R1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、R2〜R10は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数6〜20のアリール基または炭素数1〜6のトリアルキルシリル基である。mは0≦m≦10、nは0≦n≦10、oは0≦o≦10、1≦(m+n+o)≦10である]

IPC (18件)：

G03F 7/11 503 , C07F 7/08 , C07F 7/21 , C08F 30/08 , C08K 5/00 , C08L 1/08 , C08L 3/14 , C08L 5/00 , C08L 43/04 , C08L 63/00 , C09K 3/00 , G02B 1/04 , G02B 1/11 , G03F 7/004 506 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 521 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (18件)：

G03F 7/11 503 , C07F 7/08 W , C07F 7/21 , C08F 30/08 , C08K 5/00 , C08L 1/08 , C08L 3/14 , C08L 5/00 , C08L 43/04 , C08L 63/00 Z , C09K 3/00 U , G02B 1/04 , G03F 7/004 506 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 521 , G03F 7/40 521 , G02B 1/10 A , H01L 21/30 574

Fターム (62件)：

2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025CC03 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025EA10 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096AA30 , 2H096CA06 , 2H096HA23 , 2H096LA30 , 2K009AA04 , 2K009BB04 , 2K009CC42 , 2K009DD02 , 4H049VN01 , 4H049VP05 , 4H049VQ30 , 4H049VQ76 , 4H049VQ84 , 4H049VR22 , 4H049VR23 , 4H049VS02 , 4H049VS28 , 4H049VU20 , 4J002AB001 , 4J002BQ001 , 4J002CD012 , 4J002CD142 , 4J002EB117 , 4J002ED026 , 4J002ET016 , 4J002EU027 , 4J002EU106 , 4J002EU186 , 4J002EV217 , 4J002EV247 , 4J002EV257 , 4J002EV297 , 4J002FD142 , 4J002FD146 , 4J002FD157 , 4J002GH01 , 4J100AB07P , 4J100AE09P , 4J100AL08P , 4J100AL39P , 4J100AM21P , 4J100AM47P , 4J100AN04P , 4J100AR11P , 4J100BA15P , 4J100BA34P , 4J100BA80P , 4J100CA01 , 4J100JA01 , 5F046PA07

引用特許：

審査官引用 (3件)

ポリシランおよびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-336655 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-110654 出願人：株式会社東芝
パタ-ントランスファ組成物及びパタ-ントランスファ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-372465 出願人：株式会社東芝

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