特許

J-GLOBAL ID：200903007569882559

半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205346
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031660
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 ニッケルを利用して結晶化させた珪素膜中からニッケルを除去する。【解決手段】 非晶質珪素膜102の表面に103で示されるようにニッケル元素を接して保持させる。そして、加熱処理より結晶性珪素膜104を得る。この際ニッケル元素の作用により結晶化が飛躍的に促進させる。またこの結晶化の際、膜中にニッケル元素が拡散する。そして、バリア膜として熱酸化膜105を成膜し、さらに燐を高濃度に含有した珪素膜106を成膜する。そして加熱処理を施すことにより、珪素膜106中に結晶性珪素膜104中のニッケル元素を移動させる。こうして結晶性珪素膜104中のニッケル濃度を減少させる。

請求項（抜粋）：

珪素の結晶化を助長する金属元素の作用により結晶化された珪素膜を形成する工程と、該珪素膜の少なくとも一部の表面にバリア膜を形成する工程と、該バリア膜上び15族の元素を含有させた珪素膜を成膜する工程と、加熱処理を施し、前記金属元素を前記珪素膜から前記15族の元素を含有させた珪素膜に移動させる工程と、前記15族の元素を含有させた珪素膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-271223   出願人：富士通株式会社
• 半導体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-271703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所