特許
J-GLOBAL ID：200903007573031687

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

発明者：
斉 藤 好 昭

斉 藤 好 昭 について

, 
杉 山 英 行

杉 山 英 行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-203783
公開番号（公開出願番号）：特開2005-050907
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】低消費電力でかつ低電流書き込みで動作するとともに、素子破壊が無く信頼性を高くすることを可能にする。【解決手段】少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第1磁化固着層6と、少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第2磁化固着層14と、第1磁化固着層と第2磁化固着層との間に設けられ少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が可変の磁気記録層10と、第1磁化固着層と磁気記録層との間に設けられるトンネルバリア層8と、磁気記録層と第2磁化固着層との間に設けられる中間層12と、を備えたことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第1磁化固着層と、少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が固定された第2磁化固着層と、前記第1磁化固着層と前記第2磁化固着層との間に設けられ少なくとも1層の磁性層を有しスピンの方向が可変の磁気記録層と、 前記第1磁化固着層と前記磁気記録層との間に設けられるトンネルバリア層と、 前記磁気記録層と前記第2磁化固着層との間に設けられる中間層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  G11C11/15 116 ,  H01L27/10 447
Fターム (6件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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