特許

J-GLOBAL ID：200903007574136180

新規ポリマー及びこれを用いたレジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者： 浦野 文良 ,  大野 桂二 ,  角野 元重 ,  松尾 隆弘
出願人/特許権者： 和光純薬工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 平井 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257672
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060056
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】 200nm以下の遠紫外光、特にArFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、これをレジスト組成物用のポリマーとして使用した場合にはエッチング耐性に優れた新規ポリマー及びこれを用いた高感度で高解像性能を有する実用的なレジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】 一般式[1]【化1】[式中、R1は水素原子又はシアノ基を表し、R2、R4及びR6は夫々独立して水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子、水酸基又はアルキルシリルオキシ基を表し、R3はシアノ基又はカルボン酸エステル基を表し、又、R1とR3とで脂肪族環を形成していても良く、R5は酸の作用で脱離し得る基を表し、R7は水素原子を表し、R8は置換アルキル基でエステル化されていても良いカルボキシル基、又はアミド基を表し、また、R7とR8とで結合して-CO-NH-CO-基を形成していくも良く、k及びlは夫々独立して自然数を表し、mは0又は自然数を表す。]で示されるポリマー、及び該ポリマーを含んで成るレジスト組成物、並びにこれを用いたパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

一般式[1]【化1】[式中、R1は水素原子又はシアノ基を表し、R2、R4及びR6は夫々独立して水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子、水酸基又はアルキルシリルオキシ基を表し、R3はシアノ基又はカルボン酸エステル基を表し、又、R1とR3とで脂肪族環を形成していても良く、R5は酸の作用で脱離し得る基を表し、R7は水素原子を表し、R8は置換アルキル基でエステル化されていても良いカルボキシル基、又はアミド基を表し、また、R7とR8とで結合して-CO-NH-CO-基を形成していくも良く、k及びlは夫々独立して自然数を表し、mは0又は自然数を表す。]で示されるポリマー。

IPC (10件)：

C08F220/26 ,  C08F220/04 ,  C08F220/42 ,  C08F220/54 ,  C08F222/40 ,  C08F230/08 ,  C08F232/04 ,  C09D 11/10 ,  C09D133/00 ,  H01L 21/027

FI (10件)：

C08F220/26 ,  C08F220/04 ,  C08F220/42 ,  C08F220/54 ,  C08F222/40 ,  C08F230/08 ,  C08F232/04 ,  C09D 11/10 ,  C09D133/00 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ビニル基を含有する単量体及びその重合体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-280695   出願人：日本電気株式会社
• レジストおよびこれを使った半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333352   出願人：富士通株式会社
• カメラ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-014737   出願人：ミノルタ株式会社