特許

J-GLOBAL ID：200903007579907967

放射線検出器

発明者： 渡谷 浩司 ,  佐藤 賢治 ,  志村 陽一郎 ,  鶴田 秀生
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所 ,  山梨電子工業株式会社 ,  新電元工業株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-331781
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101193
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 バイアス電圧印加用の共通電極の積層形成に起因するセレン系アモルファス半導体膜の欠陥発生を抑えると同時に共通電極の密着性をあげる。【解決手段】 この発明の放射線検出器は、放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜(a-Se系半導体膜)1の表面に積層形成されているバイアス電圧印加用の共通電極2が厚み100Å〜1000Åの範囲の金薄膜であるので、共通電極2用の金薄膜をa-Se系半導体膜1の表側に積層形成する際の蒸着温度が比較的低いうえに蒸着時間も短くて済む結果、共通電極2の積層形成に起因するa-Se系半導体膜1の欠陥発生を抑制できる。共通電極2の金薄膜は、従来のような厚い膜ではなく、1000Å以下の薄膜であるので、a-Se系半導体膜1に対する共通電極2の密着性をあげることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜と、このセレン系アモルファス半導体膜の表側に面状に広く積層形成されているバイアス電圧印加用の共通電極とを備え、共通電極にバイアス電圧が印加された状態で検出対象の放射線が入射するのに伴い放射線に有感なセレン系アモルファス半導体膜の内部に電荷が発生する放射線検出器において、前記共通電極は、厚みが100オングストローム〜1000オングストロームの金薄膜(Au薄膜)であることを特徴とする放射線検出器。

IPC (3件)：

H01L27/14 ,  G01T1/24 ,  H01L31/09

FI (3件)：

H01L27/14 K ,  G01T1/24 ,  H01L31/00 A

Fターム (30件)：

2G088EE01 ,  2G088EE30 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ04 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL12 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA01 ,  4M118CA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118HA26 ,  5F088AB01 ,  5F088BA20 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088FA05 ,  5F088KA03 ,  5F088KA08 ,  5F088KA10 ,  5F088LA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ガラス組成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200440   出願人：ミノルタ株式会社

審査官引用 (2件)

• 放射線検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-056713   出願人：新電元工業株式会社, 山梨電子工業株式会社
• X線光電変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-026475   出願人：新電元工業株式会社, 山梨電子工業株式会社