半導体装置、及び、半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：三好秀和 , 三好保男 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-312994
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152790
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】メタルゲート電極と低抵抗なソースドレイン電極を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基1上に素子領域と素子分離領域を形成する。素子領域を横断し、端部が前記素子分離領域に設けられたダミーゲートを形成する。素子分離領域にダミーゲートより低い第1領域を形成し、ダミーゲートを除いた素子領域に第1領域の上面より低いソースドレイン領域を形成する。ソースドレイン領域の周辺部に側壁を形成しソースドレイン不純物拡散層を形成する。ソースドレイン領域と第1領域の上方にダミーゲートと同じ高さの半導体膜を形成する。半導体膜の上面を酸化しシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜をマスクに素子領域に設けられたダミーゲートを除去する。半導体膜をエッチングストッパーに素子分離領域に設けられたダミーゲートを後退させシリコン酸化膜を除去する。ダミーゲートに換えてゲート絶縁膜とゲート電極を形成する。半導体膜を除去しソースドレイン不純物拡散層を露出させ、ソースドレイン不純物拡散層上にソースドレイン電極を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1上面を有する素子領域と、前記第1上面より低い第2上面を有し前記素子領域を囲む分離領域を有する半導体基板と、前記第2上面上に設けられ前記素子領域に接し前記第1上面より高い第3上面を有する第1絶縁体と、前記第2上面上に設けられ前記素子領域と前記第1絶縁体に接し前記第3上面より高い第4上面を有する第2絶縁体を有する素子分離絶縁体と、前記第1上面上に設けられ前記第2絶縁体の側面に接する第1側壁と、前記第1上面上に設けられ両端部が前記第1側壁の両端部にそれぞれ接続する第2側壁を有するソース側壁絶縁体と、前記第1上面上に設けられ前記第2絶縁体の側面に接する第3側壁と、前記第1上面上に前記第2側壁に平行に設けられ両端部が前記第3側壁の両端部にそれぞれ接続する第4側壁を有するドレイン側壁絶縁体と、前記第1上面上と前記第3上面上に設けられ、前記第2絶縁体、前記第2側壁と前記第4側壁の側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、側面が前記ゲート絶縁膜に接するゲート導電体と、前記第1上面上方に設けられ、前記第1上面と電気的に接続し、側面が前記第1側壁と第2側壁に接するソース導電体と、前記第1上面上方に設けられ、前記第1上面と電気的に接続し、側面が前記第3側壁と第4側壁に接するドレイン導電体を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (8件)：

H01L29/78 301P , H01L21/28 301R , H01L21/28 301S , H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 621

Fターム (122件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB27 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD72 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104DD86 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F110AA03 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110FF01 , 5F110FF12 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG31 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HJ22 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN23 , 5F110NN62 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BC06 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG26 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG46 , 5F140BG53 , 5F140BG58 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH36 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ08 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK28 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CE08 , 5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-314102 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-071151 出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る