特許

J-GLOBAL ID：200903007611370784

現像液組成物およびその製造方法、ならびにレジストパターンの形成方法

発明者： 石川 薫 ,  三隅 浩一 ,  斎藤 宏二
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-124864
公開番号（公開出願番号）：特開2006-301404
出願日： 2005年04月22日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】 良好な厚膜レジストパターンを形成できるとともに、泡立ちが少ない現像液組成物を提供する。【解決手段】支持体上に厚膜レジストパターンを形成するために用いられる現像液組成物であって、有機第四級アンモニウム塩基を主剤とし、下記一般式(I)で表される陰イオン性界面活性剤、並びにシリコーン系消泡剤、アルコール系消泡剤、および非イオン界面活性剤系消泡剤からなる群から選ばれる消泡剤を含むことを特徴とする現像液組成物。【化1】(式中、R1は炭素数5〜18のアルキル基又はアルコキシ基;aは1または2;R2、R3は独立にスルホン酸アンモニウム基、スルホン酸置換アンモニウム基、または下記一般式(II)で表される基;bは0または1〜3の整数;cは1〜3の整数。)【化2】(式中、Mは金属原子である。)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

支持体上に厚膜レジストパターンを形成するために用いられる現像液組成物であって、 有機第四級アンモニウム塩基を主剤とし、下記一般式(I)で表される陰イオン性界面活性剤、並びに

IPC (2件)：

G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/32 ,  H01L21/30 569E

Fターム (4件)：

2H096AA26 ,  2H096GA10 ,  2H096GA11 ,  5F046LA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第2589408号公報
  
• レジスト用現像液組成物およびレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-169834   出願人：東京応化工業株式会社
• レジスト用現像液組成物およびレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-184708   出願人：東京応化工業株式会社