半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159004
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349063
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板のエッチングにおいて、エッチング速度が速く、金属元素の析出が無く、しかも平滑なエッチング面の得られる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】KOH溶液の沸点を利用したエッチング、加圧状状態でのエッチング、負の溶解電位での電解エッチング、KOH可溶な高沸点の溶媒を用いたエッチング等をおこなう。

請求項（抜粋）：

水酸化カリウム溶液の沸点でシリコン基板をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 21/308 , B05D 3/10

FI (3件)：

H01L 21/306 B , H01L 21/308 B , B05D 3/10 C

Fターム (15件)：

4D075BB56Z , 4D075BB66Z , 4D075BB77Z , 4D075BB81Z , 4D075DC22 , 5F043AA02 , 5F043BB02 , 5F043BB30 , 5F043DD06 , 5F043DD07 , 5F043DD10 , 5F043DD14 , 5F043EE40 , 5F043FF05 , 5F043FF10

引用特許：

審査官引用 (6件)

電子ビーム描画装置用アパチャおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-073106 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-098949 出願人：日本電装株式会社
特開昭58-140129

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