特許

J-GLOBAL ID：200903007659600447

半導体集積回路

発明者： 河原 尊之 ,  堀 陵一 ,  堀口 真志 ,  栗原 良一 ,  伊藤 清男 ,  青木 正和 ,  阪田 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231234
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086916
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、高速・低消費電力の半導体集積回路を提供することにある。【構成】 MOSトランジスタ回路(LGn)と電源(VCC、VSS)との間に大電流と小電流との電流供給を制御する手段(SWHn)を挿入する。このSWHnの制御を入力INからの信号の流れに沿って行ない、電流を大小に切換えてMOSトランジスタ回路(LGn)に供給する。【効果】 待機時には小電流とし低消費電力性を得て、動作時には大電流として高速性を得ることができ、その切り換え動作時にも高速性を失わない。

請求項（抜粋）：

第1のMOSトランジスタと、そのソース・ドイレン経路が第1動作電位点と第2動作電位点との間に上記第1のMOSトランジスタのソース・ドイレン経路と直列接続された第2のMOSトランジスタとを少なくとも具備してなり、上記第1のMOSトランジスタの上記ソース・ドレイン経路と上記第2のMOSトランジスタの上記ソース・ドレイン経路との共通接続点である出力ノードから出力信号を得る如く構成されたMOSトランジスタ回路であって、上記第1と第2のMOSトランジスタの少なくとも一方に接続され、制御信号が供給される制御回路手段をさらに具備してなり、該制御回路手段に供給される上記制御信号を第1の状態に設定することにより、上記一方のトランジスタの上記ソースに比較的大きな電流が流れることを許容せしめ、上記制御回路手段に供給される上記制御信号を上記第1の状態と異なる第2の状態に設定することにより、上記一方のトランジスタの上記ソースに流れる電流を上記比較的大きな電流より小さな値に制限する手段を有する回路群が多数ある半導体集積回路において、上記第1と第2の状態の切り換えを該回路群の信号の流れに沿って或いは信号の流れと逆向きに行なうことを特徴とする半導体集積回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294799   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 論理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-337898   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平2-246149
  
• 特開昭60-134460