エピタキシャル基板の製造方法及びエピタキシャル成長装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249921
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097995
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】製造工程を増加させることなく半導体基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル基板の製造方法及び製造装置を得る。【解決手段】表面及び裏面を有するウェハ2を2つの端部位置でサセプタ3で挟みながら支持し、そして、ウェハ2の表面及び裏面双方を同時にエピタキシャル層形成用の混合ガス1に晒し、ウェハ2の表面上に第1のエピタキシャル層(図示せず)を形成し、ウェハ2の裏面上に第2のエピタキシャル層(図示せず)を形成してエピウェハを完成する。

請求項（抜粋）：

(a)一方主面及び他方主面を有する半導体基板を準備するステップと、(a)前記半導体基板の端部を複数箇所で把持するステップと、(c)前記半導体基板の一方主面及び他方主面双方を同時にエピタキシャル層形成用の材料ガスに晒し、前記半導体基板の一方主面上に第1のエピタキシャル層を形成し、前記半導体基板の他方主面上に第2のエピタキシャル層を形成するステップとを備える、エピタキシャル基板の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-149422
特公昭40-017975
特開平1-144620

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