特許
J-GLOBAL ID：200903007674635249

半導体レーザ装置

発明者：
玉貫 岳正

玉貫 岳正 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210878
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056230
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 高出力レーザ光を得るために、複数個の半導体レーザをスタック構成とすると、各半導体レーザの光出射の間隔が大きくなり、拡がり角度が小さいレーザビームを得ることが困難になる。【解決手段】 基板の一方の面に半導体層を接合し、この半導体層の領域内に光出射領域を形成した2個の半導体レーザ100,200を、各半導体レーザの光出射面109,209が略同一面となるように両半導体レーザを各基板の一方の面側を互いに対向させて一体化する。例えば、2個の半導体レーザはそれぞれ異なる極性の基板に形成され、各基板の一方の面側に設けた電極107,207を互いに接触させた状態で一体化し、基板の他方に設けた電極108,208間に電流を注入して発光させる。各半導体レーザの光出射領域が近接されるため、光出射領域が狭くなり、拡がり角度の小さいレーザビームが得られる。
請求項（抜粋）：
基板の一方の面に半導体層を接合し、この半導体層に光出射領域を形成した半導体レーザを2個有し、これら半導体レーザの光出射面が略同一面となるように両半導体レーザを前記基板の一方の面側を互いに対向させて一体化したことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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