オルガノシリケート層の堆積方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333118
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275631
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】オルガノシリケート層を形成する方法。【解決手段】オルガノシリケート層は、オルガノシラン化合物と酸素含有ガスとを含むガス混合物に電界を印加することによって形成される。オルガノシリケート層は、集積回路製造工程に適合可能である。ある一つの集積回路製造工程においては、このオルガノシリケート層は金属間誘電層として使われる。もう一つの集積回路製造工程においては、このオルガノシリケート層はダマシン構造体内へ組み込まれる。

請求項（抜粋）：

薄膜堆積方法であって、堆積チャンバの中に基板を置くステップと、前記堆積チャンバにガス混合物を供給するステップであって、前記ガス混合物が、オルガノシラン化合物と酸素含有ガスとを含む、前記ステップと、前記基板上にオルガノシリケート層を形成するために、前記堆積チャンバの中の前記ガス混合物に電界を印加するステップと、を含む、前記方法。

IPC (3件)：

C23C 16/42 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3件)：

C23C 16/42 , H01L 21/316 X , H01L 21/90 S

Fターム (69件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030LA15 , 4K030LA19 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ82 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033SS07 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-150323 出願人：ダウコーニングコーポレーシヨン
絶縁膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-029302 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
特開平3-019252

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