特許
J-GLOBAL ID：200903082549531808

絶縁膜及びその製造方法

発明者：
松 木 信 雄

松 木 信 雄 について


出願人/特許権者：
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029302
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288931
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】信頼性が高い低誘電率の絶縁膜を製造する。【解決手段】耐熱性及び耐吸湿性が高い,低誘電率のシリコン系有機絶縁膜の製造方法が与えられる。プラズマCVD装置を使って半導体基板上に絶縁膜を形成するための方法は,一般式SiαOβCXHY(式中,α,β,x,yは整数)で表されるシリコン系炭化水素化合物を直接気化方式によって気化させ,前記プラズマCVD装置の反応室に導入する工程と,実質的に流量の減少した添加ガスを反応室内に導入する工程と,前記シリコン系炭化水素化合物ガス及び前記添加ガスの混合ガスを反応ガスとして,プラズマ重合反応によって前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と,から成る。前記添加ガスの流量を減少させることで,前記反応ガスの総流量が実質的に減少し,その結果,反応ガスの滞留時間が延長され,膜中に連続多孔質構造が形成されて,誘電率が低下する。シリコン系炭化水素化合物は,好適には,少なくとも一つのSi-O結合を有し,2つ以下のO-CnH2n+1結合を有し,かつSiに少なくとも2つの炭化水素基が結合した構造を有する。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD装置を使って半導体基板上に低誘電率の絶縁膜を形成するための方法であって,一般式SiαOβCXHY(式中,α,β,x,yは整数)で表されるシリコン系炭化水素化合物を直接気化方式によって気化させ,前記プラズマCVD装置の反応室に導入する工程と,実質的に流量の減少した添加ガスを反応室内に導入する工程と,前記シリコン系炭化水素化合物ガス及び前記添加ガスの混合ガスを反応ガスとして,プラズマ重合反応によって前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と,から成り,前記添加ガスの流量を減少させることで,前記反応ガスの総流量が実質的に減少することを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
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