特許
J-GLOBAL ID：200903007702285003
有機装置の電気性質を向上する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-210177
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322870
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 有機薄膜トランジスタの電気性質を向上するための有機装置の電気性質を向上する方法の提供。【解決手段】 ゲート及び絶縁層が形成された装置基板を提供し、有機半導体高分子材料、有機絶縁高分子材料、導電粒子と溶剤を混合し有機溶液を形成し、該有機溶液を使用して有機半導体層を該絶縁層の上に形成する。そのうち、該有機半導体高分子材料は、ポリ-3-アルキルチオフェン(P3AT)より選択し、該有機絶縁高分子材料はポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等の相互に類似の材料より選択し、該導電粒子はカーボンナノチューブ(CNT)、カーボン60及びナノ銀粒子等の相互に類似の導電材料より選択する。該溶剤はキシレン、トルエン及びTHF等の相互に類似の溶剤より選択する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
有機薄膜トランジスタの電気性質を向上するのに用いられる有機装置の電気性質を向上する方法において、
ゲート及び絶縁層が形成された装置基板を提供する工程、
有機半導体高分子材料、有機絶縁高分子材料、導電粒子と溶剤を混合し有機溶液を形成する工程、
該有機溶液を使用して有機半導体層を該絶縁層の上に形成する工程を具え、
そのうち、該有機半導体高分子材料は、ポリ-3-アルキルチオフェン(poly3-alkylthiophene;P3AT)より選択し、該有機絶縁高分子材料はポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)より選択し、該導電粒子はカーボンナノチューブ(CNT)、カーボン60及びナノ銀粒子より選択し、該溶剤はキシレン、トルエン及びTHFより選択することを特徴とする、有機装置の電気性質を向上する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/78 618B
, H01L29/28
5F110AA05
, 5F110AA16
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE07
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK07
, 5F110HK33
