有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-288538
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128124
出願日： 2002年10月01日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】スイッチング動作におけるon/off比が高く、リーク電流が少ない有機薄膜トランジスタを実現する。【解決手段】ゲート絶縁層を、封孔処理した陽極酸化膜で構成するか又は陽極酸化膜とポリマーや無機酸化物からなる絶縁層とで構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体からなる活性層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極を構成する金属材料の陽極酸化膜及び該陽極酸化膜上に形成された絶縁膜を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L29/786 , C23C28/00 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/78 618B , C23C28/00 E , H01L21/316 T , H01L29/78 617U , H01L29/78 617W , H01L29/28

Fターム (81件)：

4K044AA06 , 4K044AB10 , 4K044BA11 , 4K044BA12 , 4K044BA13 , 4K044BA18 , 4K044BA21 , 4K044BB05 , 4K044BB06 , 4K044BB10 , 4K044BC14 , 4K044CA13 , 4K044CA14 , 4K044CA15 , 4K044CA17 , 4K044CA53 , 5F058AC05 , 5F058AD02 , 5F058AD10 , 5F058AF02 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF70 , 5F058BJ10 , 5F110AA05 , 5F110AA12 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110GG53 , 5F110GG54 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27

引用特許：

審査官引用 (7件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-274283 出願人：シャープ株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-240758 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭57-153427

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