導電層の作製方法及び半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-008892
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241770
出願日： 2004年01月16日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】基板の大型化に対応できる、また、スループットや材料の利用効率を向上させた配線、導電層及び表示装置の作製方法、半導体装置の作製方法の提供を課題とする。【解決手段】本発明は、絶縁表面を有する基板上に、導電性材料を吐出して導電層を形成するステップを有し、前記導電層に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする。また、前記導電層は、減圧下で形成することを特徴とする。本発明は、絶縁表面を有する基板上のトランジスタのソース又はドレイン配線に接するように、導電性材料を吐出して導電層を形成し、前記導電層に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、導電性材料を吐出して導電層を形成し、前記導電層に、ランプ又はレーザー光により加熱処理を施すことを特徴とする導電層の作製方法。

IPC (15件)：

H01L21/288 , B05D3/12 , B05D5/12 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (14件)：

H01L21/288 Z , B05D3/12 A , B05D5/12 B , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28 B , H01L27/08 331E , H05B33/14 A , H01L21/88 B , H01L29/78 627C , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J , H01L27/08 321F , H01L27/06 102A

Fターム (191件)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA46 , 2H092JB61 , 2H092KA05 , 2H092KA11 , 2H092KA15 , 2H092KB01 , 2H092KB11 , 2H092KB25 , 2H092MA02 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA22 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CC00 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007FA01 , 3K007GA00 , 4D075AC06 , 4D075AC09 , 4D075AC88 , 4D075AC93 , 4D075AC95 , 4D075BB26Z , 4D075BB37Z , 4D075BB42Z , 4D075BB48Z , 4D075BB56Y , 4D075CA22 , 4D075DA04 , 4D075DA06 , 4D075DB01 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DB39 , 4D075DB43 , 4D075DB47 , 4D075DB61 , 4D075DC19 , 4D075DC21 , 4D075DC24 , 4D075EA10 , 4D075EC10 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH38 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033KK04 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ46 , 5F033QQ47 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ99 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB11 , 5F048BC16 , 5F048BF01 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK08 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL03 , 5F110HL04

引用特許：

出願人引用 (1件)

配線およびその作製方法、並びに配線基板およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-089262 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (3件)

インクジェットプリンターによる印刷装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-342247 出願人：松下電工株式会社
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-367548 出願人：日本電気株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-041323 出願人：松下電器産業株式会社

前のページに戻る