特許

J-GLOBAL ID：200903076233126260

薄膜形成方法

発明者： 田邉 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367548
公開番号（公開出願番号）：特開2001-179167
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。【解決手段】 流動性原料を液滴102として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板101上に塗布し液体パターン103を形成する工程と、その液体パターン103を固化して薄膜パターン104に形成する工程と、薄膜パターン104にレーザを照射して結晶化膜106に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。

請求項（抜粋）：

流動性原料を選択的に基板上に塗布して所望のパターンを形成する工程と、該所望のパターンを基板上に固化して固化パターンを形成する工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

B05D 1/02 ,  B05D 7/00 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (7件)：

B05D 1/02 Z ,  B05D 7/00 H ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 C ,  H01L 21/316 B

Fターム (44件)：

4D075AA04 ,  4D075BB02Z ,  4D075BB72Z ,  4D075BB92Z ,  4D075CA47 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA45 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045EB02 ,  5F045EB20 ,  5F045HA16 ,  5F045HA17 ,  5F045HA24 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053PP20 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF46 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BH03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物パターン形成方法および金属パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057201   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭60-241268
  
• 樹脂層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-291617   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション