III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098065
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299252
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】クラックと貫通転位を同時に抑制すること。【解決手段】 III族窒化物系化合物半導体がエピタキシャル成長しないマスク材2を格子状に形成し、基板1表面を各々分離して露出させることで、エピタキシャル成長領域を各々独立した小さな領域とすることができる。ここに主として単結晶から成る反応防止層を形成し、製造工程中に応力と熱による基板と上層のIII族窒化物系化合物半導体との化学反応を起こさないようにすることができる。こののち2つの異なる温度範囲で、同一又は異なる組成のIII族窒化物系化合物半導体を交互に形成した歪み緩和層を形成することで基板と上層との応力を緩和することができ、貫通転位の発生を抑制し、又はエピタキシャル上層で貫通転位を消滅させることが可能となる。この上に形成する所望のIII族窒化物系化合物半導体は、クラックを防止しつつ、貫通転位を抑制したものとすることができる。

請求項（抜粋）：

基板上にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、基板表面に、III族窒化物系化合物半導体がエピタキシャル成長しないマスク材を格子状に形成し、基板表面を各々分離して露出させる工程と、前記各々分離して露出された基板表面上方に、2つの異なる温度範囲で、同一又は異なる組成のIII族窒化物系化合物半導体を交互に形成した歪み緩和層を形成する工程と、所望のIII族窒化物系化合物半導体を前記歪み緩和層の上に形成する工程とを含み、基板表面上方に形成されるIII族窒化物系化合物半導体が隣同士各々分離して形成されることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/343 610

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/343 610

Fターム (36件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA83 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB19 , 5F073CB22 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-092948 出願人：豊田合成株式会社
窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-256088 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る