III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-092948
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286450
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【目的】基板とIII族窒化物系化合物半導体層との間の熱膨張率の相違によりIII族窒化物系化合物半導体層を成長させるときの高温でIII族窒化物系化合物半導体層にストレスが蓄積される。【構成】 III族窒化物系化合物半導体がその上に成長しない材料からなる離隔層を基板上に形成し、該離隔層で覆われていない基板の表面上へ、離隔層で離隔された状態を維持して、III族窒化物系化合物半導体を成長させる。

請求項（抜粋）：

基板表面に第一の環境部分と第二の環境部分とを形成し、前記第一の環境部分の上に素子を構成する複数のIII族窒化物系化合物半導体層を積層する、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 31/10 , H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 31/10 A , H01S 3/18 677

Fターム (79件)：

5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA37 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AF01 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045BB16 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA51 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA57 , 5F045DB01 , 5F045DB02 , 5F049MA04 , 5F049MA13 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA08 , 5F049NA20 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049PA20 , 5F049QA16 , 5F049SS03 , 5F049SS04 , 5F049SS09 , 5F049SS10 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA22 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

GaNバルク単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074002 出願人：酒井士郎, シャープ株式会社
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-246665 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子及び半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-006679 出願人：松下電器産業株式会社

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