特許

J-GLOBAL ID：200903090213837243

窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法

発明者： 杉浦 理砂 ,  石川 正行 ,  布上 真也 ,  小野村 正明 ,  山本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256088
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021789
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 結晶欠陥密度が低く、結晶性,電気的特性,光学的特性の良好なGaN系半導体層をサファイア基板上に形成することができ、GaN系半導体を用いた半導体素子の歩留まり,初期特性,信頼性の向上をはかる。【解決手段】 GaN系半導体を用いた半導体発光素子において、サファイア等の基板20上に開口部21aを有するSiO2 マスク21を形成した後、その上にMOCVD法等で、半導体デバイス形成のための各種窒化物半導体層を成長する。

請求項（抜粋）：

第1層と、前記第1層上に形成された複数の開口部を有するマスクと、前記マスク上に形成され、前記マスクの前記複数の開口部の隣接する2つのほぼ中央部において複数の転位が垂直方向に延在する貫通転位を有する第1の領域と、前記中央部以外であって前記転位から開放された第2の領域とを含む窒化物系化合物半導体層と、前記半導体層上に形成された所望の素子構造と、を具備することを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673

Fターム (50件)：

5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB01 ,  5F045DC51 ,  5F045EB15 ,  5F045EK03 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073DA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エピタキシャル成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198305   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-027522   出願人：松下電器産業株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社