特許

J-GLOBAL ID：200903007718124140

一次元多層有機金属錯体ナノ磁気素子及び一次元多層有機金属錯体

発明者： 中嶋 敦 ,  三井 正明 ,  宮島 謙 ,  井上 健一郎 ,  土居 真吾 ,  安藤 直人 ,  岡田 英嗣 ,  長岡 修平 ,  マーク ニッケルバイン ,  茅 幸二
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-407075
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167119
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 一次元多層有機金属錯体ナノ磁気素子及び一次元多層有機金属錯体に関し、室温以上でもナノ磁性材料と成り得る分子磁石を提供する。【解決手段】 n個(但しnは1以上の整数)のV原子2と、n+1個のベンゼン或いはベンゼン誘導体のいずれかからなる配位子3とを一次元状に交互に積み重ねた一次元多層有機金属錯体1を磁気素子として用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n個(但しnは1以上の整数)のV原子と、n+1個のベンゼン或いはベンゼン誘導体のいずれかからなる配位子とを一次元状に交互に積み重ねた一次元多層有機金属錯体を磁気素子として用いたことを特徴とする一次元多層有機金属錯体ナノ磁気素子。

IPC (2件)：

H01F1/00 ,  B82B1/00

FI (2件)：

H01F1/00 Z ,  B82B1/00

Fターム (4件)：

4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB91 ,  5E040AC10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• フェノール性化合物の酸化カップリング反応体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-260602   出願人：三菱化学株式会社

審査官引用 (4件)

• クラスターイオン種のソフトランディング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-254555   出願人：学校法人慶應義塾, 日本学術振興会
• 多層サンドイッチ錯体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-205625   出願人：学校法人慶應義塾, 日本学術振興会
• 不飽和6員環の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-220786   出願人：科学技術振興事業団
• クラスターイオン種のソフトランディング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-336830   出願人：学校法人慶應義塾

引用文献：

審査官引用 (1件)

• バナジウム・ベンゼン有機金属クラスターのベンゼン置換基の効果に対する研究